SIHH100N65E-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)操作中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的熱性能。適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以及對(duì)功率密度和散熱性能有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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