SICW020N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(on)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，同時低導通電阻有助于減少發熱，提升系統整體能效與可靠性。
