IMZA65R027M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，在柵源驅動電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高溫環境下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統。其電氣參數組合使其在高電壓、大電流應用場景中具備良好的動態響應與熱穩定性。
