NVH050N65S3F-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統。其低RDS(on)有助于減小導通壓降，提升整體能效，同時寬VGS范圍增強了驅動兼容性與可靠性。
