SCTWA35N65G2V-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為45mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其結構利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，在高頻開關應用中表現出優異的效率和熱穩定性，適用于服務器電源、光伏逆變器及高密度電力電子系統中的功率轉換環節。
