UF3C065030K3S-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備99A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高頻特性和熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗與高耐壓特性使其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)突出，能夠有效提升系統(tǒng)整體能效并簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
