C3M0045065J1-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續電流為70A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備中，能夠在高溫和高頻率工作條件下保持穩定性能。
