IV2Q06025T4Z_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的特性，在高頻、高壓工作條件下展現出優異的開關性能與導通效率，適用于對能效和功率密度要求較高的電力轉換場景，可有效降低系統損耗并提升整體運行穩定性。
