C3M0045065J1_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為36mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫性能和開關效率，適用于高頻率、高效率的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于對功率密度和熱管理要求較高的電力電子應用中。
