IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和26mΩ的導通電阻，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中展現(xiàn)出低損耗與高效率優(yōu)勢，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源系統(tǒng)。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動電路的適應性，低導通電阻有助于降低傳導損耗，從而支持更緊湊、高效的電力轉換架構。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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