IPW60R045CPFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、70A的連續(xù)漏極電流（ID）以及44mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的優(yōu)勢，在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高功率密度電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及高效電能管理設(shè)備，能夠在較高結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行，提升整體系統(tǒng)效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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