IPW60R024CFD7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至20mΩ，在高功率密度應用中可顯著降低導通損耗。柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V，支持寬范圍驅動信號，增強系統設計靈活性。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關條件下仍能維持高效能與良好熱穩定性，適用于對效率、尺寸及散熱性能有嚴苛要求的電源轉換場合。
