IMZA65R026M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的漏極電流額定值，漏源電壓耐受能力為750V，導通電阻典型值為20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高效率特性，適用于高頻、高功率密度的電源轉換系統。其寬柵壓范圍增強了驅動電路的適應性，同時低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效表現。
