C3M0025065K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。其結(jié)構(gòu)利用碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與高臨界電場(chǎng)特性，在高頻、高功率密度的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中可實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗與高效率運(yùn)行，適用于對(duì)動(dòng)態(tài)響應(yīng)和能效要求嚴(yán)苛的電源管理、儲(chǔ)能變換及高頻逆變等應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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