NVD4C05NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在大電流應(yīng)用中有效抑制功率損耗，提升系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。適用于高效率電源模塊、電池供電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動電路以及需要高開關(guān)頻率和高電流承載能力的電子系統(tǒng)，能夠在持續(xù)高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定工作性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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