RM15N650TI_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為160mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻特性和高溫穩定性，適用于高效率電源轉換、開關電源及各類電力電子系統。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升整體能效，同時簡化散熱設計。
