NVMFS4C03NWFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET支持150A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅(qū)動電壓最高可達(dá)20V。憑借極低的導(dǎo)通電阻，器件在高電流工作時能有效抑制功耗與溫升，適用于大功率電源轉(zhuǎn)換、高效電機(jī)驅(qū)動及同步整流等對能效和熱性能要求嚴(yán)苛的場合。其結(jié)構(gòu)設(shè)計有利于實現(xiàn)快速開關(guān)響應(yīng)，有助于提升整體電路效率與動態(tài)性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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