TK34E10N1,S1X_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8.5毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有助于減少導通狀態下的功率損耗，配合較高的電壓和電流額定值，適用于高效率電源轉換、電機驅動及各類需要穩定功率開關性能的電子設備中。器件在高頻開關條件下仍能維持良好的熱穩定性和電氣特性。
