GSJU6514_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻為160mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高效率電源、光伏逆變器、服務(wù)器電源及類似電力電子系統(tǒng)，能夠在較高結(jié)溫下維持穩(wěn)定電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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