STL13N65M2-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:13A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有13A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為260mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于高效率、高頻率的電源轉換場景。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升系統整體能效，適合用于對體積與熱管理有較高要求的電力電子裝置中。
