TSM080N03PQ56_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機控制及各類中低電壓開關應用。其電氣參數組合兼顧了電流承載能力與開關性能，在緊湊型功率電路中可實現穩定可靠的工作表現。
