FDD6682_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為5毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗和溫升，提升系統整體效率。適用于大電流開關電源、電池供電設備、電機驅動及同步整流等應用場合，能夠在高頻操作中維持良好的電氣性能與熱穩定性。
