R6509END3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10.2A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:550mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續漏極電流（ID），在高溫或高頻工作條件下表現出優異的穩定性。其導通電阻（RDS(on)）為550mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-8V至@0V（VGS），支持較寬的驅動電壓窗口，增強了與不同驅動電路的兼容性。器件采用碳化硅材料，具備高熱導率和低開關損耗特性，適用于對能效和功率密度要求較高的電力電子應用場合。
