STP18N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V漏源耐壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓（VGS）支持-10V至@5V范圍，確保驅(qū)動(dòng)可靠性與開關(guān)穩(wěn)定性。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫工作性能和快速開關(guān)特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。典型應(yīng)用涵蓋高壓直流變換、大功率開關(guān)電源、可再生能源逆變系統(tǒng)及高密度電源模塊，適合對(duì)熱管理和功率密度有較高要求的電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
