BSC028N06NSTATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.4毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗使其適用于對效率和熱性能要求較高的功率轉換場景，例如電源管理、電機驅動及高頻開關電路等。器件結構優化了開關特性，在保持低導通電阻的同時兼顧動態性能，適合需要高可靠性和穩定運行的電子系統。
