NTPF190N65S3H_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為800V，連續漏極電流（ID）達11A，導通電阻（RDS(on)）為165mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻率DC-DC變換器等場合。
