IPP045N10N3GHKSA1-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及4.1毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流導通狀態下功耗較低，有助于提升系統整體效率。器件適用于高效率電源轉換、電機驅動和高頻開關電路等應用，在需要高可靠性和穩定電氣性能的場合中表現良好。
