NCE65TF180_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻典型值為165mΩ。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，適用于高效率、高頻率的功率轉換場景。器件利用碳化硅材料特性，在高溫和高壓條件下仍能保持穩定性能，適合用于對開關速度與能效要求較高的電源系統中，可有效降低導通與開關損耗，提升整體電路效率。
