CDMSJ2204.7-650SL-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃條件下可支持5.1A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(on)）典型值為820mΩ，在柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V時能穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備較高的耐壓能力和較低的開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的高頻電源轉換場景，如服務器電源、通信電源及可再生能源系統中的功率變換模塊。
