IPD65R420CFDBTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:9.3A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9.3A的連續(xù)漏極電流（ID）和410mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以及對體積和能效有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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