NVMFS5C426NWFET1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐，可承載高達219A的連續漏極電流（ID）。其超低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率、大電流的開關應用。器件在高頻操作下保持良好的開關特性，適合用于電源管理、電機控制及高密度功率轉換等場景，滿足對熱性能與電氣穩定性要求較高的設計需求。
