FF06030J-7_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為73A，最大漏源電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有低開關損耗和高耐溫特性，適合用于高效率、高頻率的電力電子系統，例如數據中心電源、光伏逆變器以及大功率快充裝置等場景，能夠有效支持緊湊型高能效設計。
