SCT027H65G3AG-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為73A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有優異的高頻開關能力與熱穩定性，在高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度電力電子設備中可實現較低的導通與開關損耗，適用于對電氣性能和可靠性要求較高的應用場景。
