SICW025N065H4-BP-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流（ID）為99A，漏源擊穿電壓（VDSS）達650V，導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓和大電流條件下表現出較低的導通損耗與優異的開關性能。其寬VGS范圍提升了驅動電路的適配能力，適用于對效率、熱管理和功率密度有較高要求的電源轉換及高頻電力電子應用。
