SCTL35N65G2V-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:68A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極連續電流為68A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為45mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與快速開關能力，在高頻運行條件下仍能保持良好效率。適用于對轉換效率和熱性能要求較高的電源系統，如高密度開關電源、可再生能源轉換裝置及高性能計算設備中的功率管理模塊。
