GC180N65D8_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源擊穿電壓達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高電壓、高頻率工作條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于對能效和體積有較高要求的電源轉換場景。其電氣參數支持在嚴苛電壓環境下可靠運行，同時有助于簡化散熱設計并提升系統整體效率。
