STF28N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為165mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓、低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動(dòng)兼容性，適合在高頻開(kāi)關(guān)條件下穩(wěn)定工作，滿足多種電力電子系統(tǒng)對(duì)高性能開(kāi)關(guān)器件的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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