IPP65R225C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源電壓（VDSS）與20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定柵極驅(qū)動(dòng)控制。基于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的高溫工作性能和快速開關(guān)響應(yīng)能力，適用于高頻率、高功率密度的電力轉(zhuǎn)換電路。典型應(yīng)用包括高效直流-直流變換器、大功率開關(guān)電源、光伏逆變裝置及高密度電源模塊，適合對(duì)熱管理、轉(zhuǎn)換效率和空間布局有較高要求的電力電子設(shè)計(jì)場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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