SI7440DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻可有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率、大電流的開關應用場景。典型用途包括直流電源管理、電機控制、電池充放電電路及各類需要低損耗功率開關的電子系統，能夠在頻繁開關和持續負載條件下保持穩定性能。
