NTPF190N65S3HF-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）、11A的連續漏極電流（ID）以及165mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻工作時仍能保持較低的導通與開關損耗，并具備良好的熱穩定性。適用于高效率電源、可再生能源系統中的功率轉換模塊以及對體積和散熱有嚴苛要求的電力電子設備。
