STF26N65DM2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）、11A的連續漏極電流（ID）以及165mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中展現出較低的導通與開關損耗，并具有良好的高溫工作能力。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及對體積和能效有較高要求的電力電子應用。
