PJMF380N65E1_T0_00001_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有15A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下仍保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、光伏逆變系統、不間斷電源及各類對能效和熱管理有較高要求的電力電子應用。
