IXTY2N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:4.2A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為4.2A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為1555mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備較高的耐壓能力和良好的高溫工作特性，適用于中低功率的高頻開關應用。其結構支持在高電壓環境下穩定運行，同時保持較低的開關損耗，適合對體積和效率有一定要求的電源轉換系統。
