TSM080N03EPQ56_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最大可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件采用標準封裝形式，便于在緊湊型電路布局中集成，同時確保在高電流工作條件下的穩定性和可靠性。
