IXFP12N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為320mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V（VGS）內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫特性和開關性能，適用于高效率、高頻率的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統整體能效，適合用于對體積與熱管理有較高要求的電力電子應用中。
