SUP85N10-10-E3-HXY_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至8.5毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）最大可達(dá)20V。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉(zhuǎn)換與開關(guān)應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)支持高電流承載能力，在高頻開關(guān)條件下仍能保持穩(wěn)定工作特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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