IMBG65R260M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:13A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，漏極電流ID為13A，漏源擊穿電壓VDSS達800V，導通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和熱管理要求較高的高頻開關場景。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，適合在復雜電氣環境中穩定運行。
