IPP100N10S305AKSA2-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.1毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效，適用于高電流、高頻率的開關應用場景。器件結構支持良好的熱傳導性能，在電源轉換、電機控制及大功率負載開關等電路中可實現穩定可靠的工作表現，滿足對緊湊布局和高效運行的需求。
