TSM055N03PQ56_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功耗和溫升，同時支持快速開關操作。適用于開關電源、電池供電設備、電機控制及各類對效率和熱管理有較高要求的電子系統中，能夠提供穩定可靠的性能表現。
