RJK0355DPA-01#J0B-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為50A，最大漏源電壓為30V，在柵源電壓20V驅動下導通電阻為6.5毫歐。器件在導通狀態下具有較低的功率損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電路設計。典型應用包括直流-直流轉換器、電源開關模塊以及需要高頻操作和低導通壓降的電子系統中。
